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VHFD 37
I t
70
A
60
I F 50
40
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
typ.
max .
300
A
250
I FSM
200
150
50Hz, 80% V RRM
T VJ = 45°C
2
10 3
A 2 s
10 2
V R = 0 V
T VJ = 45°C
T VJ = 125°C
30
100
20
T VJ = 125°C
10
50
0
0
10 1
0.0
0.5
1.0
1.5
V 2.0
0.001
0.01
0.1
s
1
1
2
3
8 9
4 5 6 7 ms 10
120
W
100
P tot
V F
Fig. 3 Forward current vs. voltage
drop per diode
t
Fig. 4 Surge overload current
R thHA :
0.5 K/W
1.0 K/W
50
A
40
I d(AV)M
t
Fig. 5 I 2 t versus time per diode
80
1.5
K/W
2.0
3.0
K/W
K/W
30
60
4.0
6.0
K/W
K/W
20
40
20
0
10
0
0
10
20
30
40
A
0
20
40
60
80
°C
100 120 140
0
20
40
60
80 100 120 °C
I F(AV)M
T amb
T H
Fig. 6 Power dissipation vs. direct output current and ambient temperature
Fig. 7 Max. forward current vs.
heatsink temperature
2.0
K/W
1.5
Z thJH
1.0
Constants for Z thJH calculation:
i
R thi (K/W)
t i (s)
0.5
1
2
3
4
0.005
0.2
0.875
0.47
0.008
0.05
0.06
0.25
0.0
0.001
0.01
0.1
1
s
10
Fig. 8 Transient thermal impedance junction to heatsink
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
t
20100705a
3-3
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